王亚东

作品数：11被引量：20H指数：2
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供职机构：浙江大学更多>>
发文主题：半导体材料超高真空化学气相沉积氧化动力学Y半导体量子点更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《半导体技术》《Journal of Semiconductors》《半导体光电》《半导体杂志》更多>>
所获基金：国家自然科学基金浙江省科技计划项目更多>>
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低温生长硅基碳化硅薄膜研究被引量：2
《真空科学与技术》2002年第1期58-60,共3页叶志镇 王亚东 黄靖云 季振国 赵炳辉 
国家自然科学基金资助课题 (No .696860 0 2 )
在 8 5 0℃的低温下 ,在Si( 10 0 )衬底上生长了 3C SiC薄膜 ,气源为SiH4和C2 H4混合气体。用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱分析了薄膜的晶体结构、组分以及键能随深度的变化。研究表明薄膜为富硅的 3C SiC结晶层 ,其中...
关键词：SIC薄膜 硅基片 半导体材料 碳化硅薄膜 低温生长 化学气相沉积 
Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金的热氧化物的生长动力学及光学特性
《真空科学与技术》2001年第5期406-408,共3页王亚东 叶志镇 黄靖云 赵炳辉 袁竣 
国家自然科学基金资助课题 ;国家重点实验室访问学者基金资助课题
利用椭偏仪、荧光光谱和X光电子谱研究了Si1-x -yGexCy合金在 90 0℃干O2 气氛下所形成的氧化物的生长动力学及其光学特性。结果表明 :随着合金中碳含量的增加 ,氧化速率逐渐下降 ;而氧化物中 383nm附近的发光带是由于氧化薄膜中与 (Six...
关键词：氧化动力学 光学特性 缺陷 热氧化物 生长动力学 硅锗碳三元合金 半导体材料 
多孔硅上生长Ge量子点的光学特性被引量：6
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1116-1118,共3页王亚东 黄靖云 叶志镇 赵炳辉 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 96 86 0 0 2 )~~
采用量子尺寸的多孔硅作为衬底 ,利用区域优先成核在多孔硅表面上成功地生长了 Ge量子点 .由于量子限制效应锗的 PL 谱发生了明显的蓝移 ,计算表明在傅里叶红外光谱中观察到的中红外 (5— 6 μm)吸收峰是源于量子点中的亚能带跃迁 (两...
关键词：锗量子点 红外光探测器 光学特性 多孔硅 
碳对Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金氧化的影响
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1119-1121,共3页王亚东 叶志镇 黄靖云 赵炳辉 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 96 86 0 0 2 )~~
利用椭圆偏振仪 (EL)、傅里叶红外光谱 (FTIR)研究了 Si1 - x- y Gex Cy 合金分别在 90 0℃和 10 0 0℃干氧气氛下形成氧化物的生长动力学 .结果表明 :在 90 0℃氧化时 ,随着合金中的替代碳含量的增加 ,氧化速率逐渐下降 ;而在 10 0 0...
关键词：锗硅碳薄膜 氧化动力学 碳 合金 
退火对UHVCVD外延生长锗硅碳三元合金的影响
《真空科学与技术》2001年第4期291-293,共3页王亚东 叶志镇 黄靖云 赵炳辉 亓震 
国家自然科学基金重大项目 (6 9890 2 30 ) ;国家自然科学基金资助项目 (6 96 86 0 0 2 )
采用傅立叶红外吸收光谱 (FTIR)和X射线衍射 (XRD)研究了超高真空化学气相沉积外延生长的Si1 -x - yGexCy三元合金的热稳定性。在比较高的退火温度下 (95 0℃或以上 ) ,Si1 -x -yGexCy中的替代位的C逐渐形成SiC沉淀 ,减弱了应变的补偿作...
关键词：超高真空化学气相沉积 锗硅碳三元合金 热稳定性 退火 外延生长 
UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金的应变研究被引量：2
《真空科学与技术》2001年第3期214-216,共3页王亚东 黄靖云 叶志镇 章国强 亓震 赵炳辉 
国家自然科学重大基金项目! (6 9890 2 30 ) ;国家自然科学基金资助项目! (6 96 86 0 0 2 )
用超高真空化学气相沉积方法 ,在Si(10 0 )衬底上生长掺C高达 2 2 %的Si1-x-yGexCy 合金薄膜 ,外延层质量良好。用高分辨透射电子显微镜 ,X射线衍射 ,傅立叶红外吸收光谱以及拉曼光谱对外延层进行了检测。结果表明 :替代位C的加入 ,明...
关键词：超高真空化学气相沉积 应变 锗硅碳三元合金 外延生长 
UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究
《材料科学与工程》2001年第2期33-35,共3页王亚东 黄靖云 叶志镇 汪雷 马德群 赵炳辉 
浙江省计划项目资助
本文利用超高真空化学气相沉积系统 (UHV CVD)在 72 0℃Si(10 0 )衬底上进行了实时B掺杂的硅外延。采用二次离子质谱仪 (SIMS) ,傅立叶红外光谱 (FTIR) ,扩展电阻仪 (SRP)对外延层的性能进行研究。研究表明 :72 0℃生长时已经实时掺入了...
关键词：超高真空化学气相沉积 硅 外延 硼 掺杂 半导体材料 生长 
半导体量子点的器件应用被引量：9
《半导体光电》2000年第5期310-313,共4页王亚东 黄靖云 叶志镇 
浙江省科技计划资助项目
半导体量子点的生长和性质已成为当今研究的热点。以S -K生长模式已成功地生长了无缺陷的半导体量子点。由于其较强的量子效应 ,量子点结构的光电器件和电子器件有望比量子阱结构的器件具有更好的性能。介绍了量子点在光电器件和电子器...
关键词：半导体量子点 最子限制效应 光电器件 电子器件 
硅基量子点器件
《半导体杂志》2000年第3期50-55,共6页王亚东 叶志镇 黄靖云 
硅基量子点器件由于其独特的性能以及和硅集成电路相容的特点成为研究的重点。量子点中电子和空穴强的量子限制作用使其表现出一些新颖的物理性能 ,从而在微电子和光电子器件方面有着重要的应用价值。本文介绍了硅基量子点器件的一些应...
关键词：硅基量子点器件 光电子器件 硅集成电路 
三元合金锗硅碳的器件应用研究
《半导体情报》2000年第6期55-59,共5页王亚东 王龙成 叶志镇 黄靖云 
国家自然科学基金资助项目 (69686002)
碳的加入改进了锗硅材料的性能 ,同时也为半导体器件的研制开发创造了条件 ,增加了硅基器件设计的灵活性。本文介绍了 Si Ge C材料在硅基器件方面的应用 ,包括光探测器、MOS场效应晶体管、HBT等。
关键词：SiGeC合金 半导体器件 三元合金 半导体材料 
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