UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金的应变研究  

Study of Strain in Si_(1-x-y) Ge_x C_y Alloys Grown by Ultra-high Vacuum/Chemical Vapor Depostion

作　　者：王亚东[1] 黄靖云[1] 叶志镇[1] 章国强[1] 亓震[1] 赵炳辉[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《真空科学与技术》2001年第3期214-216,共3页Vacuum Science and Technology

基　　金：国家自然科学重大基金项目! (6 9890 2 30 ) ;国家自然科学基金资助项目! (6 96 86 0 0 2 )

摘　　要：用超高真空化学气相沉积方法 ,在Si(10 0 )衬底上生长掺C高达 2 2 %的Si1-x-yGexCy 合金薄膜 ,外延层质量良好。用高分辨透射电子显微镜 ,X射线衍射 ,傅立叶红外吸收光谱以及拉曼光谱对外延层进行了检测。结果表明 :替代位C的加入 ,明显缓解了宏观上的应变 ,但在合金中仍存在着微观应变。High quality Si 1-x-y Ge x C y alloy with 2.2% C is grown at a relatively high temperature(760 ℃)on Si(100) wafer substrates using Ultra high Vacuum/Chemical Vapor Deposition(UHV/CVD).The samples are studied with high resolution cross sectional transmission electron microscope(HRTEM),X ray diffraction(XRD),Fourier transform infrared spectroscopy and Raman spectroscopy.Our results suggest that the macroscopic strain in Si 1-x-y Ge x C y epilayer can be relieved by adding small amounts of carbon,however,the layer still contains large microscopic strain.

关 键 词：超高真空化学气相沉积 应变 锗硅碳三元合金 外延生长 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学] TN304.054