锗量子点

作品数：21被引量：24H指数：3
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宽带可见光到电信波长的锗量子点光探测器
《电光系统》2023年第2期51-54,共4页王皓北 
锗量子点(QD)光探测器(PD)是在锗衬底上制造的,在400~1550nm范围内表现出宽带、可见光到近红外光反应。获得了高达1.12A/W的室温光谱响应度(Rsp)和313%的内部量子效率(IQE),优于传统的硅和锗光二极管。降低工作温度和入射功率导致性能...
关键词：量子点 半导体 光探测器 光二极管 量子效率 
基于超薄锗量子点薄膜太阳能电池的制备及性能研究被引量：1
《科技创新导报》2020年第19期81-82,85,共3页钱松 
扬州工业职业技术学院2016校级科研课题(课题编号:2016xjzk011)。
对锗量子点电池光电特性的研究一直是科研工作者关注的热点,因为它在光电信息领域有着潜在的应用前景。本文概述了由锗薄膜量子点制备大洋能电池的技术和发展,首先分别讲述高倍聚光、直接键合、电池中间层等太阳能电池的最新制造科技。...
关键词：锗薄膜电池 中间层 最优厚度直接键合 隧道结聚光光伏 
基于锗量子点的硅基发光器件被引量：1
《光通信研究》2015年第6期1-5,29,共6页夏金松 蒋最敏 曾成 张永 
国家"八六三"计划资助项目(2015AA016904);国家"九七三"计划资助项目(2013CB632104;2013CB933303);国家自然科学基金资助项目(61335002;61177049);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-12-0218)
硅基光源是实现硅基集成光电子芯片的核心器件,虽然近年来国内外已经取得多项重要成果,但适合于下一代大规模光电集成芯片的小尺寸、低功耗、工艺兼容的高效硅基发光器件仍然缺乏。文章介绍了基于嵌入光学微腔中的锗量子点实现硅基发光...
关键词：硅基发光器件 锗量子点 光学微腔 
低温锗量子点缓冲层技术生长硅锗弛豫衬底研究
《深圳信息职业技术学院学报》2015年第3期5-10,共6页周志文 叶剑锋 李世国 
深圳市科技计划项目(No.JCYJ20120821162230170);广东省高等学校优秀青年教师项目(Yq2014123)
为了提高生长在硅衬底上的硅锗弛豫衬底的质量,提出了低温锗量子点缓冲层技术,分析了该技术在应变弛豫的促进,表面形貌的改善,位错密度的降低等方面的作用机理。基于低温锗量子点缓冲层技术,利用超高真空化学气相淀积系统,在硅衬底上生...
关键词：硅锗弛豫衬底 低温锗量子点缓冲层 生长 
耦合锗量子点中空穴态对称特性研究
《物理学报》2014年第22期276-282,共7页崔尉 王茺 崔灿 施张胜 杨宇 
国家自然科学基金(批准号:10990103;11274266);国家重点基础研究发展计划预研项目(批准号:2012CB326401);云南省应用基础研究计划重点项目(批准号:2013FA029);云南大学理工基金(批准号:2013CG024)资助的课题~~
分别采用单带重空穴近似和六带Kronig-Penney模型,对垂直耦合锗量子点在不同耦合距离下的空穴态特性进行了计算,并探讨了自旋-轨道的相互作用对空穴态对称性的影响.计算结果表明:多带耦合的框架下,随着量子点垂直间距的增大,空穴基态从...
关键词：耦合量子点 空穴态 成健态-反健态 自旋-轨道 
Ge/Si量子点的控制生长被引量：2
《红外与毫米波学报》2012年第5期416-420,454,共6页潘红星 王茺 杨杰 张学贵 靳映霞 杨宇 
国家自然科学基金(10990103;10964106);云南省自然基金重点资助项目(2008CC012)~~
采用离子束溅射技术,在生长了Si缓冲层的硅晶片上制备了一系列Ge量子点样品.借助原子力显微镜(AFM)和Raman光谱等测试手段研究了Ge/Si量子点生长密度、尺寸及排列均匀性的演变规律.结果表明,改变Si缓冲层厚度及其生长方式,可以有效控制...
关键词：硅缓冲层 锗量子点 离子束溅射 
美国Natcore公司研发串联式量子点薄膜太阳能电池
《浙江电力》2011年第10期70-70,共1页
美国Natcore公司与赖斯大学（Rice University）共同研制出可实现光伏发电的硅和锗量子点两种多层薄膜电池。该产品采用3节电池串联式层替结构，每节可吸收不同光谱区的光线，
关键词：薄膜太阳能电池 锗量子点 串联式 美国 研发 薄膜电池 光伏发电 可吸收 
氧化硅衬底上高密度锗量子点的微结构研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2011年第6期760-764,共5页张磊 叶辉 皇甫幼睿 詹文博 刘旭 
以化学氧化生成的SiO2缓冲层作为衬底,利用分子束外延(MBE)系统通过直接生长以及后期退火的方式获得了高密度(1011cm-2)的锗量子点结构。借助于扫描电镜和电子衍射等进一步研究了其生长机理,与传统的S-K生长模式进行比较并给出了清晰的...
关键词：锗岛 纳米微结构 分子束外延 二氧化硅 成核 
氧化硅缓冲层对于退火形成锗量子点的作用研究
《物理学报》2011年第7期502-507,共6页张磊 叶辉 皇甫幼睿 刘旭 
浙江大学现代光学仪器国家重点实验室项目;浙江省自然科学基金(批准号:Y407109)资助的课题~~
在化学氧化得到的二氧化硅薄层覆盖的硅衬底上,室温淀积锗膜并进行后期退火处理.实验表明,不同于传统退火过程形成大岛,通过一定工艺的控制可以获得高密度(～1011cm-2)的均匀锗量子点.研究了后期退火温度对量子点的结构影响的局部反常...
关键词：锗量子点 二氧化硅 退火 
表面方向性对矽锗量子点与奈米环结构生长之影响
《國家奈米元件實驗室奈米通訊》李承翰 劉致為 杜文仙 張宏臺 李勝偉 
本文探讨表面晶圆方向对於矽锗量子点以及矽锗奈米环状结构生长时的影响。在此研究中，我们同时成长矽锗量子点以及矽锗奈米环状结构於Si(100)方向、Si(110)方向以及Si(111)方向的晶圆表面上。从这次的研究中我们可以发现，不论是矽锗...
关键词：矽鍺 量子點 奈米環 超高真空化學氣相沉積 表面晶圓對稱方向 
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