皇甫幼睿

作品数:3被引量:4H指数:1
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供职机构:浙江大学更多>>
发文主题:锗量子点硅衬底硅基多孔氧化铝更多>>
发文领域:理学电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊:《真空科学与技术学报》《物理学报》更多>>
所获基金:浙江省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
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氧化硅衬底上高密度锗量子点的微结构研究被引量:1
《真空科学与技术学报》2011年第6期760-764,共5页张磊 叶辉 皇甫幼睿 詹文博 刘旭 
以化学氧化生成的SiO2缓冲层作为衬底,利用分子束外延(MBE)系统通过直接生长以及后期退火的方式获得了高密度(1011cm-2)的锗量子点结构。借助于扫描电镜和电子衍射等进一步研究了其生长机理,与传统的S-K生长模式进行比较并给出了清晰的...
关键词:锗岛 纳米微结构 分子束外延 二氧化硅 成核 
氧化硅缓冲层对于退火形成锗量子点的作用研究
《物理学报》2011年第7期502-507,共6页张磊 叶辉 皇甫幼睿 刘旭 
浙江大学现代光学仪器国家重点实验室项目;浙江省自然科学基金(批准号:Y407109)资助的课题~~
在化学氧化得到的二氧化硅薄层覆盖的硅衬底上,室温淀积锗膜并进行后期退火处理.实验表明,不同于传统退火过程形成大岛,通过一定工艺的控制可以获得高密度(~1011cm-2)的均匀锗量子点.研究了后期退火温度对量子点的结构影响的局部反常...
关键词:锗量子点 二氧化硅 退火 
在Si-Ge晶体外延生长中的RHEED花样研究被引量:3
《物理学报》2009年第11期7765-7772,共8页张冲 叶辉 张磊 皇甫幼睿 刘旭 
浙江省自然科学基金(批准号:Y407109)资助的课题~~
在晶体衍射理论基础上,利用运动学理论解释了反射式高能电子衍射(reflection high energy electron diffraction,RHEED)在Si-Ge晶体外延生长过程中不同阶段出现的花样.尤其研究了晶体岛状生长之后出现的RHHED透射式衍射花样,并给出了相...
关键词:硅锗外延生长 反射式高能电子衍射 表面重构 透射式衍射花样 
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