张磊

作品数：8被引量：90H指数：3
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供职机构：浙江大学光电信息工程学系现代光学仪器国家重点实验室更多>>
发文主题：面形非球面非零锗量子点非球面检测更多>>
发文领域：理学化学工程电子电信机械工程更多>>
发文期刊：《真空科学与技术学报》《光学学报》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金浙江省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
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非球面非零位环形子孔径拼接干涉检测技术被引量：11
《光学学报》2014年第8期156-164,共9页张磊 田超 刘东 师途 杨甬英 沈亦兵 
国家自然科学基金(11275172);中央高校基本科研业务费专项资金(2013QNA5006);现代光学仪器国家重点实验室创新基金(MOI201208)
提出了一种新型的非零位环形子孔径拼接干涉检测技术(NASSI)用以检测深度非球面面形误差。该方法结合了传统非零位干涉检测法与环形子孔径拼接法,采用部分零位镜替代了标准环形子孔径拼接干涉仪中的透射球面镜,产生非球面波前用以匹配...
关键词：测量 深度非球面检测 非零位环形子孔径拼接 部分零位镜 子孔径数目 回程误差 
非球面非零位检测的逆向优化面形重构被引量：10
《光学学报》2014年第6期143-150,共8页师途 刘东 张磊 杨甬英 沈亦兵 
国家自然科学基金(11275172);中央高校基本科研业务费专项资金(2013QNA5006);现代光学仪器国家重点实验室创新基金(MOI201208)
非球面的非零位检测较其零位检测而言具有更强的通用性,但非零位检测偏离了零位条件,所产生的回程误差给被测非球面的面形重构带来一定困难。针对非球面非零位检测中回程误差的校正与面形重构问题,提出了基于检测系统理论建模的非球面...
关键词：测量 面形检测 逆向优化 非零位系统 误差分析 
非球面光学元件的面形检测技术被引量：71
《中国光学》2014年第1期26-46,共21页师途 杨甬英 张磊 刘东 
国家自然科学基金资助项目(No.11275172);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(No.2013QNA5006);现代光学仪器国家重点实验室创新基金资助项目(No.MOI201208)
介绍了非球面各加工阶段的面形检测技术及其最新进展,重点介绍了非球面精密抛光期的面形检测技术,并对其中的非零位子孔径拼接干涉检测法和部分补偿法进行了详细阐述,提出了适用于大口径、深度非球面面形检测的组合干涉法的概念。概述...
关键词：非球面检测 非球面加工 组合干涉检测 自由曲面 
氧化硅衬底上高密度锗量子点的微结构研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2011年第6期760-764,共5页张磊 叶辉 皇甫幼睿 詹文博 刘旭 
以化学氧化生成的SiO2缓冲层作为衬底,利用分子束外延(MBE)系统通过直接生长以及后期退火的方式获得了高密度(1011cm-2)的锗量子点结构。借助于扫描电镜和电子衍射等进一步研究了其生长机理,与传统的S-K生长模式进行比较并给出了清晰的...
关键词：锗岛 纳米微结构 分子束外延 二氧化硅 成核 
氧化硅缓冲层对于退火形成锗量子点的作用研究
《物理学报》2011年第7期502-507,共6页张磊 叶辉 皇甫幼睿 刘旭 
浙江大学现代光学仪器国家重点实验室项目;浙江省自然科学基金(批准号:Y407109)资助的课题~~
在化学氧化得到的二氧化硅薄层覆盖的硅衬底上,室温淀积锗膜并进行后期退火处理.实验表明,不同于传统退火过程形成大岛,通过一定工艺的控制可以获得高密度(～1011cm-2)的均匀锗量子点.研究了后期退火温度对量子点的结构影响的局部反常...
关键词：锗量子点 二氧化硅 退火 
二维周期物体自成像条件的扩展被引量：2
《光学学报》2010年第9期2562-2567,共6页严欣欣 张磊 张文字 刘钦晓 余飞鸿 
基于标量衍射理论研究了二维周期物体自成像现象,进一步地扩展了二维周期物体的自成像条件。研究表明,只要两个方向周期长度的平方满足整数比,就存在相应的周期夹角满足自成像要求;另一方面,只要两个方向周期夹角的余弦值的平方是有理数...
关键词：衍射 二维周期物体 自成像 泰伯效应 
在Si-Ge晶体外延生长中的RHEED花样研究被引量：3
《物理学报》2009年第11期7765-7772,共8页张冲 叶辉 张磊 皇甫幼睿 刘旭 
浙江省自然科学基金(批准号:Y407109)资助的课题~~
在晶体衍射理论基础上,利用运动学理论解释了反射式高能电子衍射(reflection high energy electron diffraction,RHEED)在Si-Ge晶体外延生长过程中不同阶段出现的花样.尤其研究了晶体岛状生长之后出现的RHHED透射式衍射花样,并给出了相...
关键词：硅锗外延生长 反射式高能电子衍射 表面重构 透射式衍射花样 
择优取向MgO在Si衬底上的直流溅射制备及其性能表征被引量：2
《物理学报》2009年第7期5007-5012,共6页傅兴海 尹伊 张磊 叶辉 
国家自然科学基金(批准号:60578012);浙江省自然科学基金(批准号:X405002)资助的课题~~
采用直流磁控溅射并通过优化工艺参数,在(100)Si衬底上成功制备了高度(100)择优的MgO薄膜和MgO/TiN双层膜结构.对(100)MgO择优取向温度影响机理做了详细讨论,并利用XRD,AFM,FESEM等手段研究了在(100)Si和(100)TiN/Si两种衬底上,不同工...
关键词：MgO薄膜 择优取向 直流溅射 折射率拟合 
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