张学贵

作品数：3被引量：9H指数：2
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供职机构：云南大学更多>>
发文主题：离子束溅射GE量子点硅基底量子点材料表面形貌更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《功能材料》《红外与毫米波学报》《物理学报》更多>>
所获基金：云南省自然科学基金国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
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Ge/Si量子点的控制生长被引量：2
《红外与毫米波学报》2012年第5期416-420,454,共6页潘红星 王茺 杨杰 张学贵 靳映霞 杨宇 
国家自然科学基金(10990103;10964106);云南省自然基金重点资助项目(2008CC012)~~
采用离子束溅射技术,在生长了Si缓冲层的硅晶片上制备了一系列Ge量子点样品.借助原子力显微镜(AFM)和Raman光谱等测试手段研究了Ge/Si量子点生长密度、尺寸及排列均匀性的演变规律.结果表明,改变Si缓冲层厚度及其生长方式,可以有效控制...
关键词：硅缓冲层 锗量子点 离子束溅射 
离子束溅射自组装Ge/Si量子点生长的演变被引量：5
《物理学报》2011年第9期480-486,共7页张学贵 王茺 鲁植全 杨杰 李亮 杨宇 
国家自然科学基金(批准号:10964016,10990103);云南省自然基金重点项目(批准号:2008CC012);教育部学术研究重点项目(批准号:210207)资助的项目~~
采用离子束溅射技术,通过改变Ge的沉积量,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品.利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,系统地研究了Ge量子点形貌、密度、尺寸大小以及Ge的结晶性和量子点中组分等随Ge沉积量的...
关键词：离子束溅射 量子点 表面形貌 RAMAN光谱 
温度对离子束溅射生长Ge/Si量子点的形貌影响被引量：4
《功能材料》2010年第11期1982-1985,共4页张学贵 王茺 杨杰 潘红星 鲁植全 李亮 杨宇 
国家自然科学基金资助项目(10964016);云南省自然科学基金重点资助项目(2008CC012);教育部科学技术研究重点资助项目(2010ME208)
采用离子束溅射技术,在不同温度的Si(100)衬底上生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,结果表明,随着温度升高,量子点密度增大(750℃生长的量子点密度达到1.85×1010cm-2),均匀性变好及结晶性增强...
关键词：离子束溅射 量子点 表面形貌 RAMAN光谱 
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