UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究  

The Investigation of Real Time B-doped Si Grown by UHV/CVD

作　　者：王亚东[1] 黄靖云[1] 叶志镇[1] 汪雷[1] 马德群[1] 赵炳辉[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室浙江大学微系统研究与开发中心,杭州310027

出　　处：《材料科学与工程》2001年第2期33-35,共3页Materials Science and Engineering

基　　金：浙江省计划项目资助

摘　　要：本文利用超高真空化学气相沉积系统 (UHV CVD)在 72 0℃Si(10 0 )衬底上进行了实时B掺杂的硅外延。采用二次离子质谱仪 (SIMS) ,傅立叶红外光谱 (FTIR) ,扩展电阻仪 (SRP)对外延层的性能进行研究。研究表明 :72 0℃生长时已经实时掺入了B原子 ,10 0 0℃退火 5分钟后 ,外延层中B原子被激活 ,浓度达到 10 17～ 10 18cm-3 。The real time B doped Si epilayers on diameter 3 inch Si(100)substrate were grown at 720℃ by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition system.The properties of epilayers were characterized by secondary ion mass spectrum(SIMS),Fourier transform infrared specteroscopy (FTIR)and spreading resistance profile(SRP).The abrupt transition region and B doped concentration of 10 17 ～10 18 cm -3 were achieved after annealed 5 minutes at 1000℃.

关 键 词：超高真空化学气相沉积 硅 外延 硼 掺杂 半导体材料 生长 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学] TN304.12