碳对Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金氧化的影响  

Effect of Carbon on Oxidized Si_(1-x-y)Ge_xC_y Thin Films

作　　者：王亚东[1] 叶志镇[1] 黄靖云[1] 赵炳辉[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,微系统研究与开发中心杭州310027

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第9期1119-1121,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 96 86 0 0 2 )~~

摘　　要：利用椭圆偏振仪 (EL)、傅里叶红外光谱 (FTIR)研究了 Si1 - x- y Gex Cy 合金分别在 90 0℃和 10 0 0℃干氧气氛下形成氧化物的生长动力学 .结果表明 :在 90 0℃氧化时 ,随着合金中的替代碳含量的增加 ,氧化速率逐渐下降 ;而在 10 0 0℃下氧化超过 10 min后 ,Si1 - x- y Gex Cy 合金的氧化基本上与碳的含量无关 ,与 Si1 - x Gex 的行为一致 .这主要是由于在 10 0 0℃比较长时间的氧化过程中 ,替代位的碳逐渐析出形成 β- Si C沉淀 ,失去了对氧化过程的影响作用 .研究表明对于 Si1 - x- y Gex Cy 薄膜和器件的应用来说 ,氧化的温度必须要小于 10 0 0℃ .The oxidation kinetics of SiO 2/Si 1-x-y Ge xC y system (grown on Si substrate) are studied by ellipsometry (EL) and Fourier infrared spectra (FTIR). The oxidized rate decreases with the increase of the substitutional carbon at 900℃.Howe- ver ,the carbon has no obvious effect on the oxidized rate of the films at a high oxidation temperature (1000℃) because the substitutional C gradually precipitates out to form the cubic silicon carbide (β-SiC).It is suggested that the oxidation temperature should be kept below 1000℃ so as to minimize the degradation of the underlying Si 1-x-y Ge xC y layer.

关 键 词：锗硅碳薄膜 氧化动力学 碳 合金 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]