袁竣

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供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文主题：氧化物氧化动力学XC光学特性生长动力学更多>>
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Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金的热氧化物的生长动力学及光学特性
《真空科学与技术》2001年第5期406-408,共3页王亚东 叶志镇 黄靖云 赵炳辉 袁竣 
国家自然科学基金资助课题 ;国家重点实验室访问学者基金资助课题
利用椭偏仪、荧光光谱和X光电子谱研究了Si1-x -yGexCy合金在 90 0℃干O2 气氛下所形成的氧化物的生长动力学及其光学特性。结果表明 :随着合金中碳含量的增加 ,氧化速率逐渐下降 ;而氧化物中 383nm附近的发光带是由于氧化薄膜中与 (Six...
关键词：氧化动力学 光学特性 缺陷 热氧化物 生长动力学 硅锗碳三元合金 半导体材料 
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