低温生长硅基碳化硅薄膜研究  

SiC Films Grown on Si at Low Temperatures

作　　者：叶志镇[1] 王亚东[1] 黄靖云[1] 季振国[1] 赵炳辉[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室

出　　处：《真空科学与技术》2002年第1期58-60,共3页Vacuum Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金资助课题 (No .696860 0 2 )

摘　　要：在 8 5 0℃的低温下 ,在Si( 10 0 )衬底上生长了 3C SiC薄膜 ,气源为SiH4和C2 H4混合气体。用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱分析了薄膜的晶体结构、组分以及键能随深度的变化。研究表明薄膜为富硅的 3C SiC结晶层 ,其中的Si/C比约为 1 2。C SiC film has been grown on Si(100) at 850 ℃ in a mixture of SiH 4 and C 2H 4.The thin film was characterized by X ray diffraction (XRD),X ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR).Our results suggest that the film is silicon rich 3C SiC crystalline and the stoichiometry of Si and C of the film is 1 2.

关 键 词：SIC薄膜 硅基片 半导体材料 碳化硅薄膜 低温生长 化学气相沉积 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学] TN304.055