三元合金锗硅碳的器件应用研究  

Study on device applications of SiGeC ternary alloy

作　　者：王亚东[1] 王龙成[1] 叶志镇[1] 黄靖云[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江 杭州 310027

出　　处：《半导体情报》2000年第6期55-59,共5页Semiconductor Information

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (69686002)

摘　　要：碳的加入改进了锗硅材料的性能 ,同时也为半导体器件的研制开发创造了条件 ,增加了硅基器件设计的灵活性。本文介绍了 Si Ge C材料在硅基器件方面的应用 ,包括光探测器、MOS场效应晶体管、HBT等。The incorporation of C into SiGe system improves the properties of SiGe materials,and also creates the condition for developing semiconductor devices and extends the Si based heterostructures to allow more flexible device design.This paper introduces the device application on SiGeC alloy,including photodetector,MOSFET,HBT.

关 键 词：SiGeC合金 半导体器件 三元合金 半导体材料 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]