退火对UHVCVD外延生长锗硅碳三元合金的影响  

Effcet of Annealing on Si_(1-x-y) Ge_x C_y Alloys Grown by Ultra-high Vacuum Chemical Vapor Deposition

作　　者：王亚东[1] 叶志镇[1] 黄靖云[1] 赵炳辉[1] 亓震[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室微系统研发中心,杭州310027

出　　处：《真空科学与技术》2001年第4期291-293,共3页Vacuum Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金重大项目 (6 9890 2 30 ) ;国家自然科学基金资助项目 (6 96 86 0 0 2 )

摘　　要：采用傅立叶红外吸收光谱 (FTIR)和X射线衍射 (XRD)研究了超高真空化学气相沉积外延生长的Si1 -x - yGexCy三元合金的热稳定性。在比较高的退火温度下 (95 0℃或以上 ) ,Si1 -x -yGexCy中的替代位的C逐渐形成SiC沉淀 ,减弱了应变的补偿作用 ,从而增大了合金中的应变 ,显示出不同于Si1 -xGex的弛豫行为。The thermal stability of Si 1- x-y Ge x C y alloy grown by ultra high vacuum chemical vapor deposition was studied using Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and X ray diffraction (XRD). Carbon incorporation changes the thermal stability of Si 1- x Ge x structures significantly.At high annealing temperature (950 ℃ or above),substitutional C gradually precipitated to form cubic silicon carbide (β SiC) which can reduce the strain compensation.The relaxation mechanism of the Si 1- x-y Ge x C y layer differs from that of the Si 1- x Ge x obviously.This may offer an alternative design for strained layer applications.

关 键 词：超高真空化学气相沉积 锗硅碳三元合金 热稳定性 退火 外延生长 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学] TN304.054