氮化铝陶瓷直接覆铜技术  

Technology for directly bonding copper on AIN.

作　　者：黄岸兵[1] 崔嵩[1] 张浩[1] 

机构地区：[1]信息产业部第43研究所,安徽合肥230031

出　　处：《电子元件与材料》1999年第5期31-31,33,共2页Electronic Components And Materials

摘　　要：研制出一种直接覆铜ＡｌＮ基板。先将ＡｌＮ 陶瓷基板作表面氧化处理， 然后在１ ０６３～１ ０７０℃下， 氮气氛中煅烧， 使铜箔直接焊敷在ＡｌＮ基板上。铜箔的剥离强度可达到８５３．２ Ｐａ， 厚度为０．１～０．５ ｍ ｍ ， 最大基板面积可达５０ ｍ ｍ ×５０ ｍELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS (China) ,Vol.18,No.5,P.31,33(Oct.1999).In Chinese. Directly bonding copper (DBC)on AIN substrate is a new technology based on the technology for directly bonding copper on Al 2O 3 substrates.When AIN substrates surface is pre oxidized,in the nitrogen atmosphere,at 1 063～1 070℃,copper foil may naturally formed on the AIN substrates.The peel strength is up to 853 2 Pa,thickness 0 1～0 5 mm and the maximum substrates area 50 mm×50 mm.(3refs.)

关 键 词：氮化铝陶瓷 覆铜基板 过渡层 表面处理 

分 类 号：TM280.13[一般工业技术—材料科学与工程] TQ174.756[电气工程—电工理论与新技术]