黄岸兵

作品数：12被引量：18H指数：2
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发文主题：氮化铝氮化铝陶瓷陶瓷陶瓷基板AIN更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术电气工程化学工程更多>>
发文期刊：《化工新型材料》《微电子技术》《电子元件与材料》《混合微电子技术》更多>>
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MCM用氮化铝共烧多层陶瓷基板的研究被引量：12
《电子元件与材料》2003年第8期25-28,共4页崔嵩 黄岸兵 张浩 
通过实验优化AlN(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧W(钨)导体浆料性能及AlN多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对AlN多层基板的界面进行了扫描电镜分析。采用AlN流延生瓷片与W高温共烧的方法,成功地制备出了高热导率的AlN多层陶瓷基...
关键词：氮化铝 共烧工艺 多层基板 
功率电路基片首推氮化铝陶瓷被引量：1
《世界产品与技术》2000年第6期50-52,共3页黄岸兵 崔嵩 张浩 
随着民用、军用电子设备或系统的功能越来越全,自动化程度也日益提高,因此必须有功能完整、高可靠性、体积小、重量轻、高效率、高功率密度、开关速度快、抗干扰能力强的相应的电子线路系统满足其需要。功率电子器件的设计最主要包括电...
关键词：功率电路 氧化铝陶瓷 基片 
氮化铝陶瓷直接覆铜技术被引量：1
《电子元件与材料》1999年第5期31-31,33,共2页黄岸兵 崔嵩 张浩 
研制出一种直接覆铜ＡｌＮ基板。先将ＡｌＮ 陶瓷基板作表面氧化处理， 然后在１ ０６３～１ ０７０℃下， 氮气氛中煅烧， 使铜箔直接焊敷在ＡｌＮ基板上。铜箔的剥离强度可达到８５３．２ Ｐａ， 厚度为０．１～０．５ ｍ ｍ ， 最大...
关键词：氮化铝陶瓷 覆铜基板 过渡层 表面处理 
氮化铝陶瓷材料
《微电子技术》1999年第2期22-29,共8页黄岸兵 崔嵩 
本文介绍了AIN陶瓷基片生产的关键技术，国内外AIN陶瓷封装概况。探讨了AIN陶瓷封装发展的趋势。
关键词：AIN 生产技术 陶瓷封装 
消除AlN陶瓷基片色斑
《电子元件与材料》1998年第4期30-31,共2页黄岸兵 崔嵩 
ＡｌＮ基片的色斑会影响外观，引起用户对基片性能的疑虑。通过ＸＰＳ、热力学分析等方法，证实了碳的金属化合物是造成氮化铝陶瓷色斑的根源；采取控制氮化铝粉质量、改进排胶和烧结工艺、疏通气路等措施，可消除色斑。
关键词：氮化铝 色斑 生产工艺 碳化物 
氮化铝陶瓷基板发展现状
《混合微电子技术》1997年第1期40-46,共7页崔嵩 黄岸兵 
本文较详细地阐述了氮化铝粉，氮化铝基板及氮化铝基板金属化的制造工艺，研究生产发展现状，并对一些特性进行了分析。
关键词：氮化铝粉 金属化 陶瓷基板 
功率电路基片材料首选——氮化铝陶瓷
《混合微电子技术》1997年第1期47-49,共3页黄岸兵 崔嵩 
本文介绍了功率电路对基片材料的要求。阐述了氮化铝陶瓷是理想的基片材料。
关键词：AlN基片 功率电路 氮化铝陶瓷 
氮化铝陶瓷基片产品介绍
《混合微电子技术》1997年第1期68-69,共2页崔嵩 黄岸兵 
关键词：氮化铝 陶瓷 基片 
氮化铝基片生产工艺技术
《混合微电子技术》1997年第1期1-3,共3页崔嵩 黄岸兵 
本文讨论了氮化铝基片生产工艺中的一些问题。
关键词：氮化铝基片 IC 制造工艺 
氮化铝陶瓷批量生产中烧成技术研究
《混合微电子技术》1996年第4期24-28,共5页黄岸兵 崔嵩 
本文通过对氮化铝陶瓷批量生产烧成技术的五个关键因素；ＡｌＮ粉选择，坩埚设计，排胶工艺，烧成稳定性，基片尺寸控制的研究，使ＡｌＮ陶瓷生产技术逐步完善。建立了年产２００万１ｃｍ＾２的ＡｌＮ陶瓷生产线。
关键词：陶瓷 烧结技术 氮化铝 
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