CTIA型单元读出电路非线性分析及优化设计  

Analysis and Optimization on Nonlinearity of CTIA Readout Circuit

作　　者：孙伟锋[1] 宋文星[1] 谢亮[1] 文勇[1] 

机构地区：[1]东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京210096

出　　处：《航空兵器》2010年第6期48-52,共5页Aero Weaponry

基　　金：航空科学基金(20090169003)

摘　　要：读出电路的非线性严重影响红外成像系统的成像质量和可靠性,限制红外成像系统的使用范围。本文详细分析了探测器偏置电压和积分电容对单元读出电路线性度的影响,并基于CSMC DPTM(双多晶三铝)0.5μm工艺设计了一款具有高线性度的CTIA型单元读出电路。实验结果表明,所设计的CTIA型单元读出电路的非线性度小于1%。The nonlinearity of CTIA readout circuit seriously impacts on the imaging quality and reliability of the infrared imaging system.In this paper,the linearity of readout circuit based on capacitive transimpedance amplifier（CTIA） is analyzed in detail,including the bias voltage of the detector and the integration capacitance.A CTIA readout circuit with high linearity is designed and fabricated on CSMC DPTM（Double Poly Triple Metals） 0.5 μm process.The experimental results show that the nonlinearity of the designed CTIA readout circuit is less than 1%.

关 键 词：红外焦平面阵列 读出电路 非线性 探测器偏置 积分电容 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]