自升温效应下的GaAsMESFET大信号模型  

A LargeSignal Model for the GaAs MESFET ConsideringSelfHeating Effect

作　　者：王静[1] 邓先灿[1] 

机构地区：[1]杭州电子工业学院CAE所

出　　处：《半导体技术》1999年第4期15-18,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家军事电子基金

摘　　要：分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在自升温效应下的升温幅度，结合器件电学参数随温度变化的特点，对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。This paper analyzes the temperature rising in the GaAs MESFET under selfheating effect,and modifies the MESFET largesignal model considering the change of electrical parameters dependent on temperature.

关 键 词：GAASMESFET 大信号模型 自升温效应 砷化镓 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN386