GAASMESFET

作品数：28被引量：19H指数：2
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东芝推出新型GaAsMESFET单刀双掷开关
《半导体信息》2005年第6期24-25,共2页陈裕权 
东芝公司推出一种新的小型低断面GaAsMESFET、单刀双掷开关。这种小型开关非常适用于多波段/多模蜂窝天线开关组件、蓝牙组件和无线局域网。上述GaAsMESFET MMIC 1 GHz下插损0.35 dB(2 GHz下0.40 dB),1 GHz和2 GHz下隔离24 dB。其功率...
关键词：单刀双掷开关 GAASMESFET 功率性能 低断面 无线局域网 开关工作 东芝公司 天线开关 多波段 插损 
GaAsMESFET击穿特性的研究现状与进展被引量：1
《河北工业大学学报》2004年第6期35-40,共6页李亚丽 杨瑞霞 李晓光 陈宏江 
武器装备预研项目资助(51432020103QT4501)河北省自然科学基金资助项目(F2004000078)
栅漏击穿是限制GaAsMESFET输出功率并影响其可靠性的最主要因素之一,本文就改善GaAsMESFET击穿特性所进行的研究做了综述介绍,其中包括改变器件结构,采用新型材料和钝化等方法.
关键词：功率GaAsMESFET 击穿电压 低温砷化镓 镓铟磷 钝化 
2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要（2）——GaAs MESFET中性能不稳定性（如栅滞后和纠结现象）
《电子产品可靠性与环境试验》2003年第4期61-61,共1页
关键词：GAASMESFET 不稳定性 栅滞后 纠结 物理机理 
硫钝化GaAs MESFET的机理研究被引量：3
《半导体技术》2002年第7期61-64,共4页邢东 李效白 刘立浩 
研究了硫钝化对GaAs MESFET 直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,是导致器件击穿电压升高的原因。
关键词：硫钝化 GAASMESFET 击穿电压 负电荷表面态 
偏压应力下0.1μm自对准栅GaAsMESFET的阈值电压偏移和超高速IC的相关退化
《电子产品可靠性与环境试验》2001年第6期49-49,共1页
关键词：偏压应力 自对准栅 GAASMESFET 掺杂 阈值电压偏移 IC 相关退化 
GaAsMESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第7期885-887,共3页丁勇 赵福川 毛友德 夏冠群 赵建龙 
采用平面选择注入隔离工艺制作 MESFET及旁栅电极 ,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数 ,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响 .发现当延迟时间超过 2 s时 ,迟滞现象基本消失 ,旁栅效应达到稳态 ,而且...
关键词：旁栅效应 沟道电流 迟滞现象 砷化镓 MESFET 场效应晶体管 数据采集 
微波功率GaAsMESFET小信号等效电路的研究被引量：2
《微波学报》2000年第4期399-406,共8页顾聪 刘佑宝 
提出了计算功率 Ga As MESFET小信号模型参数的一些改进方法 ,包括计算 Hesse矩阵本征值和本征向量 ,确定各元件对总误差的敏感度、目标函数的优化顺序和优化方向 ,以及稳定的计算方法 ,计算结果与器件的测量值吻合。
关键词：微波功率器件 目标函数 参数提取 小信号模型 
采用目标函数计算GaAsMESFET小信号等效电路的新方法被引量：1
《微电子学》2000年第1期35-38,共4页顾聪 高一凡 
提出了一种计算GaAsMESFET器件小信号等效电路的简单方法。本征元件由传统解析参数变换技术计算,且作为非本征元件的函数。等效电路由集中元件构成,在整个测量频率范围内适用。非本征元件可以作为优化标准本征元件的方差,构成目标函数,...
关键词：MESFET 微波功率管 目标函数 砷化镓 等效电路 
GaAsMESFET平面型变容管高频特性分析
《电子学报》1999年第8期128-129,139,共3页孙晓玮 程知群 夏冠群 罗晋生 林金庭 
国家自然科学基金;中科院重点基金
本文分析了用于ＧａＡｓＭＭＩＣ调频器件ＭＥＳＦＥＴ平面型变容管的微波特性，讨论了器件几何结构与直流参数、Ｓ参数之间的关系．重点研究了器件串联电阻对微波特性的影响，给出了变容管变电容比与器件几何尺寸．
关键词：MESFET 变容二极管 砷化镓 高频特性 
自升温效应下的GaAsMESFET大信号模型
《半导体技术》1999年第4期15-18,共4页王静 邓先灿 
国家军事电子基金
分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在自升温效应下的升温幅度，结合器件电学参数随温度变化的特点，对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。
关键词：GAASMESFET 大信号模型 自升温效应 砷化镓 
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