GaAsMESFET平面型变容管高频特性分析  

High Frequency Property Analysis for GaAs MESFET Planar Varactor

作　　者：孙晓玮 程知群[1,2,3] 夏冠群 罗晋生[1,2,3] 林金庭 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所 [2]西安交通大学微电子工程系 [3]南京电子器件研究所

出　　处：《电子学报》1999年第8期128-129,139,共3页Acta Electronica Sinica

基　　金：国家自然科学基金;中科院重点基金

摘　　要：本文分析了用于ＧａＡｓＭＭＩＣ调频器件ＭＥＳＦＥＴ平面型变容管的微波特性，讨论了器件几何结构与直流参数、Ｓ参数之间的关系．重点研究了器件串联电阻对微波特性的影响，给出了变容管变电容比与器件几何尺寸．Microwave performance analysis of GaAs MESFET planar varactor for tuning frequency function is presented.The device geometry construction,the DC parameters and the S parameters are discussed.The series resistance influence on the microwave performance has been emphatically investigated.

关 键 词：MESFET 变容二极管 砷化镓 高频特性 

分 类 号：TN312.1[电子电信—物理电子学]