偏压应力下0.1μm自对准栅GaAsMESFET的阈值电压偏移和超高速IC的相关退化  

出　　处：《电子产品可靠性与环境试验》2001年第6期49-49,共1页Electronic Product Reliability and Environmental Testing

关 键 词：偏压应力 自对准栅 GAASMESFET 掺杂 阈值电压偏移 IC 相关退化 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]