硫钝化GaAs MESFET的机理研究  

Mechanism of sulfur passivation effects in GaAs MESFET

作　　者：邢东[1] 李效白[1] 刘立浩[2] 

机构地区：[1]河北半导体研究所,河北石家庄050051 [2]河北工业大学,天津300130

出　　处：《半导体技术》2002年第7期61-64,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：研究了硫钝化对GaAs MESFET 直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,是导致器件击穿电压升高的原因。In this paper, we investigated the electrical characteristics of GaAs MESFETpassivated by (NH4)2Sx solution. The increase of breakdown voltage after passivation is explainedby negativly charged surface-state effect.

关 键 词：硫钝化 GAASMESFET 击穿电压 负电荷表面态 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]