半导体瞬态问题的混合迎风有限体积格式  

MIXED COVOLUME-UPWIND FINITE VOLUME METHODS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

作　　者：杨青[1] 

机构地区：[1]山东师范大学数学科学学院,济南250014

出　　处：《系统科学与数学》2011年第1期65-79,共15页Journal of Systems Science and Mathematical Sciences

基　　金：国家自然科学基金(10971254);山东省自然科学基金(Y2007A14)资助课题

摘　　要：半导体器件的瞬时状态由包含3个拟线性偏微分方程所组成的方程组的初边值问题来描述.在三角剖分的基础上,对椭圆型的电子位势方程采用混合有限体积元法来逼近,对对流扩散型的电子浓度和空穴浓度方程采用迎风有限体积元方法来逼近,并进行了详细的理论分析,得到了最优阶的误差估计结果.最后,针对混合有限体积元法和迎风有限体积元法分别单独使用以及两种方法结合使用的情形给出了不同的数值算例.The mathematical model of the semiconductor device is described by the initial boundary value problem for a system of three quasilinear partial differential equations.The electrostatic potential equation is approximated with the aid of mixed covolume method,while the electron and hole concentrations equations are approximated with upwind finite volume methods.The optimal error estimates are obtained.Finally,three numerical examples arc given.

关 键 词：半导体 初边值问题 混合有限体积元 迎风有限体积元 误差估计 

分 类 号：O241.82[理学—计算数学]