2～5GHz 0.18μm CMOS宽带低噪声放大器设计  

Design of a 2～5GHz 0.18μm CMOS Wideband Low Noise Amplifier

作　　者：何小威[1] 张民选[1] 

机构地区：[1]并行与分布处理国防科技重点实验室,湖南长沙410073

出　　处：《计算机工程与科学》2011年第2期61-64,共4页Computer Engineering & Science

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60873212)

摘　　要：本文设计实现了一个2～5GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA),可应用在超宽带的下半频段(3.1～5GHz)。LNA由两级组成,第一级是一个共栅级,保持良好的线性度并完成较好的输入匹配;第二级是一个共源级堆叠一个电流源,在保持低噪声系数的同时降低功耗。通过级联共栅和共源结构进行增益补偿,所设计的LNA具有近似恒定的增益和噪声系数。采用0.18μm CMOS工艺实现后,模拟结果表明,增益和噪声系数在2～5GHz频率范围内分别为11.5dB和5.1dB,输入反射系数低于-22dB。在4GHz时,模拟得到的三阶交调点为-10dBm。在1.8V电源电压下,LNA的功耗约为11mW。A twostage 25GHz CMOS Low Noise Amplifier（LNA） for the lower side of UltraWideBand（UWB） applications（3.15GHz） is presented. This LNA consists of two stages. The first stage is a commongate structure maintaining good linearity with better input matching; the second stage is a commonsource stage stacked with a current mirror, which obtains low Noise Figure（NF） and reduces the LNA’s power consumption. By introducing commongate and commonsource stages to compensate gain mutually, the proposed LNA has achieved nearly flat power gain and NF. This LNA has been implemented by a 0.18μm CMOS process. The successive simulation results indicate that the power gain（S21） keeps 11.5dB over the wide frequency band of 25GHz with NF 5.1dB and input return loss（S11） below 22dB in the entire band. The simulated inputreferred thirdorder intercept point（IIP3） at 4GHz is 10dBm. The LNA consumes about 11mW under the 1.8V supply.

关 键 词：低噪声放大器 超宽带 噪声系数 三阶交调点 

分 类 号：TN454[电子电信—微电子学与固体电子学]