Ag在Si(001)-(2×1)表面化学吸附的第一性原理研究  

Chemisorption of Ag on Si(001)-(2×1) Surfaces: A First-principles Study

作　　者：张芳[1] 李伟[2] 危书义[3] 

机构地区：[1]平顶山学院电气信息工程学院,河南平顶山467000 [2]河南城建学院数理系,河南平顶山467036 [3]河南师范大学物理与信息工程学院,河南新乡453007

出　　处：《河南师范大学学报（自然科学版）》2011年第1期94-97,共4页Journal of Henan Normal University(Natural Science Edition)

摘　　要：用紧束缚下的Muffin-tin轨道线性组合方法研究了0.5个单层Ag原子在Si(001)-(2×1)表面的化学吸附.计算了Ag原子在不同位置时吸附体系的能量.结果表明,Ag原子在cave位时吸附最稳定,在Ag/Si(001)界面不存在Ag-Si混合层,Ag/Si(001)界面为突变界面.同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究.The chemisorption of 0.5 ML Ag on a Si（001）-（2×1） surface is studied by using the self-consistent tight-binding linear muffin-tin orbital（TB-LMTO） method with the supercell approach.Energies of adsorption systems of a Ag atom on different sites are calculated.It is found that the adsorbed Ag atoms are more favorable on cave site than on any other sites on Si（001）-（2×1） surface,a Ag,Si mixed layer does not exist and does form an abrupt interface at the Ag/Si（001） interface.The charge transfer and the layer projected density of states are also studied.

关 键 词：化学吸附 银 硅 低指数单晶面 超级原胞 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]