不同沉积条件下ZnTe与ZnTe:Cu复合背接触层对CdTe太阳电池性能的影响  

The Effect of Deposition Parameters on ZnTe and ZnTe:Cu Thin Film

作　　者：钟永强 郑家贵[2] 冯良桓[2] 王文武[2] 贺剑雄[2] 

机构地区：[1]国家光伏产品质量监督检测中心(筹),四川成都610200 [2]四川大学太阳能研究所,四川成都610064

出　　处：《计量与测试技术》2011年第2期30-32,共3页Metrology & Measurement Technique

摘　　要：制备高效的CdTe太阳电池,改善电池的背接触特性是一关键技术。背接触层中掺Cu能够得到性能良好的电池,但Cu在CdTe中进一步扩散,会形成缺陷,造成CdTe太阳电池性能不稳定。因此,有必要系统研究Cu原子在薄膜中的存在状态,进而有效控制Cu的浓度;另一方面,要获得良好的背接触层,必须制备出结构致密的ZnTe与ZnTe:Cu多晶薄膜。研究了衬底温度及沉积速率的变化对ZnTe:Cu薄膜质量及电池性能的影响。在常温下沉积ZnTe后,提高衬底温度沉积ZnTe:Cu对太阳能电池的影响明显,得到了转化效率达10.28%的电池。

关 键 词：衬底温度 沉积速率 碲化镉太阳电池 X-ray光电子能谱 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]