质子对超辐射发光二极管的辐射损伤研究  

作　　者：陆建松[1] 王品红[2] 田坤[2] 

机构地区：[1]重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065 [2]重庆光电技术研究所,重庆400060

出　　处：《数字通信》2011年第1期60-62,共3页Digital Communications and Networks

摘　　要：介绍了空间辐射环境,利用SRIM程序来模拟计算10MeV氦离子在GaAs材料中的入射深度与非电离能损(NIEL)的关系,分析了不同能量质子在不同材料中的入射深度及不同能量质子对超辐射发光二极管的辐射损伤对比,计算结果证明了利用SRIM软件模拟不同能量质子对超辐射发光二极管辐射损伤的可能性。

关 键 词：空间辐射损伤 质子 非电离能损 入射深度 超辐射发光二极管 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]