一种解决HBT功率器件热失控的新方法  

A New Solution for Thermal Runaway in HBT Power Devices

作　　者：胡善文[1] 钱罕杰[2] 孙晓红[1] 张晓东[3,4] 高怀[1] 

机构地区：[1]东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,南京210096 [2]东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心,江苏苏州215123 [3]苏州工业园区教育投资发展有限公司 [4]苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心,江苏苏州215123

出　　处：《固体电子学研究与进展》2011年第1期56-59,64,共5页Research & Progress of SSE

摘　　要：提出了一种具有强耦合作用的新型镇流电阻器网络,该镇流电阻器网络为树形拓扑结构,对其工作原理进行了详细分析。基于COMSOL MULTIPHYSICS软件的仿真结果表明:该镇流电阻器网络具有自适应功能,通过其耦合作用可以自动调整HBT并联阵列中晶体管的电流,使高温HBT的热量向低温HBT传递,获得更为均匀的温度分布,较好地解决了热失控问题。采用该新型镇流电阻器网络与传统镇流电阻器网络设计了两种面积相等的电路,在同等的偏置条件下测得其温度分布曲线,通过比较可以看出新型镇流电阻器网络具有更为均匀的热分布。A novel ballast resistor network of power cells is proposed,and the theory of the tree-like structure with strong coupling effect is analysed.The simulation results based on COMSOL MULTIPHYSICS show that： this adaptive ballast resistor network can adjust the current flowing through HBT arrays by coupling,resulting in a more uniform temperature distribution.Two power amplifiers of the same die area with different ballast resistor networks are designed and fabricated.Temperature of these two power amplifiers is mearsured at the same bias condition and,by comparison,the power cells with the novel ballast resistor network can achieve a more uniform temperature distribution than that with the conventional one and thus solve the problem of thermal runaway.

关 键 词：镇流电阻器网络 热失控 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统] TN322.8