含ZrFeNi42合金再结晶及蚀刻性能的研究  

Study on Recrystallization and Etching Performance of FeNi42 Alloy with Trace Zr

作　　者：李志勇[1,2] 陶志刚[1,2] 穆道彬[1,2] 马莒生 

机构地区：[1]清华大学材料科学与工程系 [2]首钢冶金研究院

出　　处：《功能材料》1999年第4期364-365,384,共3页Journal of Functional Materials

摘　　要：作为电子封装工业用引线框架主要材料之一的ＦｅＮｉ４２合金应当具有良好的应用性能。本工作研究了微量添加元素Ｚｒ对ＦｅＮｉ４２合金再结晶及晶粒长大的影响。结果表明，Ｚｒ元素可以明显地提高合金的再结晶温度，并能有效地抑制合金再结晶后的晶粒长大。此外，腐蚀实验的结果表明，Ｚｒ元素的加入可以改善合金腐蚀后的表面粗糙度，这将有利于蚀刻法生产所获得的ＦｅＮｉ４２合金引线框架的质量。Trace Zr element was added for obtaining refined alloy grain after annealing in this paper.It showed that trace Zr element was effective to increase the recrystallization temperature and inhibit the grain growth during the high temperature annealing of this alloy.The effect of Zr element on the chemical etching rate and as-etched surface roughness of FeNi42 alloy was also investigated.This new alloy containing Zr element has been successfully employed in fabricating 304pin lead frame.

关 键 词：FeNi42合金 再结晶 蚀刻性能 引线框架 

分 类 号：TN405.96[电子电信—微电子学与固体电子学]