高压静电场诱发小麦根尖染色体畸变的分析  

The Study of Chromosome Aberration on HVEF in Root Tip of Wheat

作　　者：薛小桥[1] 张菁[1] 刘翠君 

机构地区：[1]湖北大学生命科学学院,湖北武汉430062

出　　处：《湖北大学学报（自然科学版）》1999年第3期283-286,共4页Journal of Hubei University：Natural Science

基　　金：湖北大学自然科学基金资助课题

摘　　要：用高压静电场 (HVEF)处理萌发的小麦种子 ,诱发小麦根尖染色体畸变 ,发现经HVEF诱变后 ,小麦染色体具畸变频率高、畸变类型多等特点 .其畸变类型主要为染色体桥、染色体落后和染色体断片 ,同时也见到不等分裂、单极纺锤体和多极钫锤体等 .并对染色体畸变类型进行了比较分析 .The cell on root tip of wheat was observed carefully,which was treated with 15 thousand volt on HVEF.The result displays high proportion chromosome aberration.The aberration type shows chromosome bridge,chromosome backward,chromosome break,unequal division,mono spindle and polyspindle.

关 键 词：HVEF 染色体畸变 不等分裂 小麦 种子处理 

分 类 号：S512.104.1[农业科学—作物学]