SiC晶须在堇青石玻璃陶瓷基体中的氧化行为  

作　　者：李杰[1] 

机构地区：[1]山东工业陶瓷研究设计院

出　　处：《陶瓷》1990年第3期24-25,共2页Ceramics

摘　　要：复合在堇青石玻璃陶瓷中的SiC晶须在温度1000℃以上时即发生氧化,其原因是晶界或晶粒中的MgO与SiC表面的SiO_2发生反应,生成MgSiO_3,破坏了SiO_2对SiC的保护作用。

关 键 词：碳化硅 晶须 堇青石 玻璃陶瓷 氧化 

分 类 号：TQ174.758[化学工程—陶瓷工业]