应用于TiN薄膜沉积的环形等离子体源  

作　　者：李乐 

出　　处：《等离子体应用技术快报》1999年第9期8-11,共4页

关 键 词：氮化钛 薄膜沉积 等离子体源 

分 类 号：O531[理学—等离子体物理] O484.1[理学—物理]