我国半导体物理研究进展  

RECENT DEVELOPMENTS OF SEMICONDUCTOR PHYSICS

作　　者：夏建白[1] 黄昆[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室

出　　处：《物理》1999年第9期525-529,共5页Physics

基　　金：国家攀登计划资助项目

摘　　要：简单地回顾了近年来我国半导体物理研究的进展．它包括三个方面：半导体超晶格、微结构；半导体表面、界面和杂质、缺陷；以及半导体新材料、新结构．这些进展说明，半导体物理研究在当代物理学和高技术的发展中都占有突出的地位，它仍是一门年轻的、富有生命力的学科，预期在将来有更大的发展．Recent developments of semiconductor physics in China are briefly reviewed,mainly with in the following three areas:1.Semiconductor superlattices and microstructure;2.Surfaces and interfaces,impurities and defects;3.New materials and structures.We show that semiconductor research plays an outstanding role in the development of physics and advanced technology.It is still a vigorously growing subject,with even more important future advances to be expected.

关 键 词：半导体 超晶格 微结构 中国 半导体物理 

分 类 号：O47[理学—半导体物理]