UniFET II：高电压MOSFET  

出　　处：《世界电子元器件》2011年第3期35-35,共1页Global Electronics China

摘　　要：飞兆半导体推出iFETIIMOSFET，具有较好的品质因数（FOM），较低的输入和输出电容，以及反向恢复性能，并具有高效率。器件的小型封装能容纳大量的功率，但不会产生更多的热量，适合于液晶电视和等离子电视的SMPS应用，以及照明系统、

关 键 词：MOSFET 高电压 飞兆半导体 等离子电视 品质因数 输出电容 恢复性能 SMPS 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]