纳米晶Si在高压下的电学性质与金属化相变  

ELECTRICAL PROPERTIES AND METALLIC TRANSITIONS IN NANOCRYSTALS Si AT HIGH PRESSURE

作　　者：鲍忠兴[1,2,3,4,5] 何宇亮[1,2,3,4,5] 王卫乡 柳翠霞[1,2,3,4,5] 陈伟[1,2,3,4,5] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所 [2]中国科学院国际材料物理中心 [3]中国科学院半导体材料科学开放实验室 [4]北京航空航天大学 [5]华南师范大学

出　　处：《高压物理学报》1999年第2期133-137,共5页Chinese Journal of High Pressure Physics

基　　金：中国科学院半导体材料科学开放实验室资助

摘　　要：在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法，研究了粒径为１５～１８ｎｍ和８０ｎｍ的纳米晶Ｓｉ在室温下、２４ＧＰａ内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明。The resistance pressure and capacitance pressure relationships for nanocrystals Si with grain sizes of 15～18nm and 80nm at room temperature and up to 24GPa have been studied in a diamond anvil cell using resistance and capacitance measurements established by us.The experimental results show that they undergo a metallic transition at about 19～17GPa and 14GPa,respectively.

关 键 词：纳米晶 电阻 电容 金属化相变 硅 高压 

分 类 号：O521.2[理学—高压高温物理] TN304.18[理学—物理]