纤锌矿结构GaAs(1010)表面特性的第一性原理研究  

FirstPrinciples Study of Wurtzite GaAs(1010) Surface

作　　者：舒伟[1] 张霞[1] 黄辉[1] 黄永清[1] 任晓敏[1] 

机构地区：[1]北京邮电大学信息光子学与光通信教育部重点实验室,北京100876

出　　处：《激光与光电子学进展》2011年第4期62-66,共5页Laser & Optoelectronics Progress

基　　金：国家973计划资助(2010CB327600);新世纪优秀人才支持计划资助(NCET080736);中央高校基本科研业务费专项资金(BUPT2009RC0410);高等学校学科创新引智计划(B07005)资助课题

摘　　要：GaAs纳米线通常呈现纤锌矿结构(WZ),而WZ(1010)侧面已被实验所观测到。利用第一性原理计算了GaAs(1010)的表面弛豫和表面能,计算结果表明:(1010)A表面只出现原子的弛豫现象,表面能为40.6×1020meV/m2;而(1010)B表面却重构形成了GaGa和AsAs二聚体,表面能为63.5×1020meV/m2。相对于ZB(110)表面,WZ(1010)A面具有更低的表面能,(1010)A表面具有更好的稳定性,说明了在表面能占重要影响的纳米线中WZ结构存在的合理性。In contrast to its cubic zincblende phase under bulk form,GaAs nanowires usually adopt wurtzite structure.Surface reconstructions of wurtzite GaAs（1010）A and GaAs（1010）B surfaces have been investigated by using firstprinciples calculations.The results show that GaGa and AsAs dimmers are formed on GaAs（1010）B surface with surface energy 63.5×1020 meV/m2,while no reconstructions are formed on GaAs（1010）A with surface energy 40.6×1020 meV/m2.The relaxed GaAs WZ（1010）A surface has lower surface free energy and more stable.

关 键 词：表面重构 纤锌矿结构 第一性原理 表面能 

分 类 号：TN958[电子电信—信号与信息处理]