舒伟

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供职机构：北京邮电大学电子工程学院光通信与光波技术教育部重点实验室更多>>
发文主题：表面特性表面能纤锌矿结构第一性原理研究第一性原理更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《激光与光电子学进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金高等学校学科创新引智计划更多>>
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纤锌矿结构GaAs(1010)表面特性的第一性原理研究
《激光与光电子学进展》2011年第4期62-66,共5页舒伟 张霞 黄辉 黄永清 任晓敏 
国家973计划资助(2010CB327600);新世纪优秀人才支持计划资助(NCET080736);中央高校基本科研业务费专项资金(BUPT2009RC0410);高等学校学科创新引智计划(B07005)资助课题
GaAs纳米线通常呈现纤锌矿结构(WZ),而WZ(1010)侧面已被实验所观测到。利用第一性原理计算了GaAs(1010)的表面弛豫和表面能,计算结果表明:(1010)A表面只出现原子的弛豫现象,表面能为40.6×1020meV/m2;而(1010)B表面却重构形成了GaGa和A...
关键词：表面重构 纤锌矿结构 第一性原理 表面能 
含B闪锌矿三元系半导体B_xIn_(1-x)P和B_xGa_(1-x)P带隙理论预测
《Journal of Semiconductors》2007年第6期860-864,共5页熊德平 任晓敏 王琦 舒伟 周静 吕吉贺 黄辉 黄永清 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB314901);教育部"新世纪人才支持计划"(批准号:NCET-05-0111);国家自然科学基金(批准号:60576018)资助项目~~
利用第一性原理计算方法,用广义梯度近似(GGA)处理电子之间的交换关联能,计算了BxIn1-xP,BxGa1-xP的带隙结构.BxIn1-xP的带隙弯曲参数b_Eg(Γ)=4.32eV,b_Eg(X)=1.8eV,它从直接带隙转变为间接带隙时B的含量为0.47;在小量B的掺入下,可使Bx...
关键词：含B化合物 带隙弯曲参数 带隙 广义梯度近似 
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