利用电子束蒸发制备高K介质TiO_2薄膜  

Preparation of high-k gate dielectric film TiO_2 thin film via electron electron beam evaporation

作　　者：刘成士[1] 伍登学[1] 赵利利[1] 廖志君[1] 

机构地区：[1]四川大学辐射物理与技术国家教育部重点实验室,成都610064

出　　处：《四川大学学报（自然科学版）》2011年第2期356-360,共5页Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)

基　　金：国家自然科学基金委员会"重点学术期刊专项基金"(50131010);总装预研基金(JG2006047)

摘　　要：利用电子束蒸发在不同的衬底温度和蒸发束流下制备了TiO_2薄膜,利用椭圆偏振仪测出了不同工艺条件下薄膜的厚度和折射率;利用高频CV曲线研究了制备工艺条件对TiO_2薄膜的电容特性的影响,发现衬底温度和蒸发束流严重影响TiO_2薄膜的CV曲线特性;最后利用XPS(X射线能谱)和FI—IR(傅立叶红外吸收)相结合的方法对TiO_2薄膜的成分进行了分析,发现在与硅交界处存在一个亚稳态的过渡层,其成分是低价态的TiO_x(x<2)和SiO_y(y<2).TiO2 films were fabricated by electron beam evaporation with different substrate temperatures and evaporation beams, and the refractive index and thickness were measured by ellipsometry. The capacitor properties were characterized by high frequency capacitance-voltage. The results show the substrate temperature and evaporation beam taking the important effect on the capacitor properties. The composition was characterized by XPS and FI-IR, and it is found that the TiO2 film contains substoichiometric TiOx（x〈2） and SiOy（y〈2） in the TiO2-Si interface.

关 键 词：TIO2薄膜 高频CV曲线 电子束蒸发 

分 类 号：O571[理学—粒子物理与原子核物理]