电子束沉积In_2O_3基W-Mo共掺薄膜的特性研究  

Properties of W-Mo co-doped In_2O_3 thin films grown by electron beam deposition

作　　者：任世荣[1,2] 陈新亮[1] 张存善[2] 李林娜[1] 张德坤[1] 孙建[1] 耿新华[1] 赵颖[1] 

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071 [2]河北工业大学信息工程学院,天津300130

出　　处：《光电子．激光》2011年第4期550-554,共5页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(2011CB201605;2011CB201606&2011CB201607);国家高技术研究发展计划资助项目(2009AA050602);天津市应用基础及前沿技术研究计划资助项目(09JCYBJC06900);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(65010341)

摘　　要：利用电子束反应沉积技术制备了高迁移率In2O3基W-Mo共掺(IMWO,In2O3:WO3/MoO3)薄膜,研究了不同等量WO3-MoO3掺杂浓度对薄膜的微观结构、光学性能和电学性能的影响。IMWO薄膜的表面形貌呈现"类金字塔"型。随着WO3-MoO3共掺量的增加,IMWO薄膜的电阻率依次下降,载流子浓度逐渐增加,在共掺量为1.0%时制得相对较高电子迁移率的薄膜,电子迁移率约为45.5 cm2.V-1.s-1,电阻率约为3.66×10-4Ω.cm,电子的载流子浓度约为3.74×1020cm-3,方块电阻约为22.88Ω/□,400~1 100 nm光谱区域内的平均透过率约为76%(含玻璃衬底,即glass/IMWO薄膜)。Structural,optical and electrical properties of tungsten（W） and molybdenum（Mo） co-doped indium oxide（IMWO） films prepared by electron beam deposition technique with different WO3-MoO3 co-doped concentrations are investigated in detail.The IMWO thin films present pyramid-like surface.With the co-doped concentration increasing,the resistivity and carrier concentration become better.The lowest resistivity ρ~3.66×10^-4 Ω·cm is obtained at the co-doped concentration ~1.0%,with the high mobility μ~45.5 cm^2·V-1·s-1 and the carrier concentration n^3.74×1 020 cm^-3.The optimized transmittance of IMWO films is ~76%（including float glass,i.e.,glass/IMWO） with the light wavelength between 400 nm and 1 100 nm.

关 键 词：电子束沉积技术 In2O3:WO3/MoO3(IMWO)薄膜 共掺技术 高迁移率 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]