温度引起的ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层和势垒层的反转  

Temperature-Induced Turn-Over of Well and Barrier Layers in ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16) Se Superlattices

作　　者：李国华[1] 朱作明[1] 刘南竹 韩和相[1] 汪兆平[1] 王杰[2] 王迅 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083 [2]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第11期945-951,共7页半导体学报（英文版）

基　　金：国家攀登计划;国家自然科学基金

摘　　要：测量了ＺｎＳｅ，Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金和ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格的１０～３００Ｋ 的变温光致发光谱．发现ＺｎＳｅ 的带隙在１０Ｋ 时比Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金的带隙小，而在３００Ｋ 时比合金的带隙大．预计ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格中在１３０Ｋ 附近会发生势阱层和势垒层的反转．在ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格中观测到了这种反转但发生在８０Ｋ 附近．超晶格中Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 层的应变可能是反转温度变低的原因．The photoluminescence of ZnSe,Zn 0\^84 Mn 0\^16 Se alloy and ZnSe/Zn 0 84 Mn 0.16 Se superlattice(SL) has been measured at temperatures ranging from 10K to 300K. It is found that the band gap of the ZnSe is smaller than that of the Zn 0 84 Mn 0 16 Se alloy at 10K,but larger than that of alloy at 300K. Than the well and barrier layers in ZnSe/Zn 0 84 Mn 0 16 Se SL will turn\|over at about 130K.This type of turn\|over is observed in the SL sample. But the turn\|over occurred at 80K, somewhat lower than the expected temperature. The strain in the Zn 0 84 Mn 0 16 Se layer of SL may be the reason for the lower of the turn\|over temperature.

关 键 词：半导体材料 超晶格 势阱层 势垒层 温度 ZNSE 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]