具有线性GRIN结构GaAs/AlGaAs单量子阱激光器  

GaAs/AlGaAs Single Quantum Well Laser with Two Pairs of Linear GRIN

作　　者：陈国鹰[1] 马祖光[2] 王新桥 

机构地区：[1]河北工业大学,天津300130 [2]哈尔滨工业大学,150001

出　　处：《固体电子学研究与进展》1999年第4期405-409,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：河北省自然科学基金

摘　　要：采用ＭＯＣＶＤ 方法成功地研制了具有线性ＧＲＩＮ 结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱激光器。该激光器的峰值波长为８１５～８２５ ｎｍ ，阈值电流为１３０ ｍ Ａ。工作电流在４８０ ｍ Ａ 时，单面连续输出光功率高达２００ ｍ Ｗ，且基本保持在单模工作状态。工作在９７０ ｍ Ａ 时，单面连续输出光功率为０．５ Ｗ。High output power GaAs/AlGaAs single quantum well lasers with two pairs of GRIN have been fabricated by MOCVD method. Its wavelength ranges from 815 to 825 nm, threshold current is 130 mA at room temperature under CW operation. 200 mW/facet and 0.5 W/facet for CW output optical power have been obtained under 480 mA and 970 mA operation respectively.

关 键 词：单量子阱激光器 GRIN结构 GAAS ALGAAS 激光器 

分 类 号：TN248.5[电子电信—物理电子学]