超深亚微米工艺下预防串扰方法  

Methods of Guarding Signal Integrity Against Noise Based on UDSM

作　　者：李斌[1] 赵一诗[2] 曹纯[1] 廖春连[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第五十四研究所,河北石家庄050081 [2]哈尔滨工业大学电子与信息工程学院,黑龙江哈尔滨150001

出　　处：《无线电通信技术》2011年第2期42-44,共3页Radio Communications Technology

摘　　要：随着工艺特征尺寸的不断缩小,芯片的信号完整性问题逐渐恶化。根据超深亚微米(ultra-deep submicron,UDSM)工艺特性,阐述了串扰噪声和同步开关噪声(Simultaneous Switch Noise,SSN)的产生机理以及对芯片信号完整性的影响,并且分析了走线密度、时钟频率和供电布局等与这2类噪声强度相关的主要因素,进而得出了在集成电路版图设计早期,有效预防和抑制信号完整性问题的一系列方法。As technology feature size shrinking,signal integrity problems are getting worse.Based on the characteristics of Ultra-deep Submicron（UDSM） technology,the impact of crosstalk and Simultaneous Switch Noise（SSN） to signal integrity is described,factors such as wiring density,clock frequency and power plan that are related to intensity of noise are analyzed,and a series of methods are obtained that can prevent and suppress noise problems in initial layout design.

关 键 词：超深亚微米 串扰噪声 同步开关噪声 预防 

分 类 号：TN431.2[电子电信—微电子学与固体电子学]