烧结制度对无压烧结碳化硅陶瓷力学性能的影响  

Effects of Mechanical Properties of Pressureless Sintering Silicon Carbide（PS--SiC） on Sinteringschedule

作　　者：陆有军[1] 吕淑莲[2] 黄子能[1] 

机构地区：[1]北方民族大学材料科学与工程学院,宁夏银川750021 [2]宁夏建设职业技术学院,宁夏银川750021

出　　处：《中国材料科技与设备》2011年第2期19-21,共3页Chinese Materials Science Technology & Equipment

基　　金：宁夏科技攻关计划资助项目（2009kjgg）;宁夏教育厅资助项目（2009jy001）.

摘　　要：本文通过研究固相无压烧结的方法制备碳化硅陶瓷，得出实验结论为：2130℃烧结时，样品的综合力学性能最好，相对密度大于97％，抗弯强度为406．5MPa，硬度为2472HV。This article discussed solid--phase pressureless sintering of silicon carbide ceramics. The mechanical properties of sample were great excellent at 2130℃. For example relative density was greater than 97 %, flexure strength was 406. 5Mpa, hardness was 2472HV.

关 键 词：无压烧结 碳化硅 力学性能 

分 类 号：TF125.41[冶金工程—粉末冶金]