PMOS栅氧化过程中杂质分凝的计算机模拟  

THE COMPUTER SIMULATION OF IMPURITY SEGREGATION IN THE PMOS GRID OXIDATION

作　　者：李惠军[1] 张新[1] 郝修田 陈惠凯 

机构地区：[1]山东工业大学电子工程系,济南250061

出　　处：《山东工业大学学报》1999年第4期380-384,共5页

基　　金：山东省科委资助

摘　　要：以 Ｐ Ｍ Ｏ Ｓ结构为研究对象，对其绝缘栅栅氧化的动态过程进行了计算机模拟，进而提出了可以抑制杂质分凝效应的栅氧化新模式该成果对 Ｐ沟道 Ｍ ＯPMOS structure is studied and oxidation process of insulated grid is simulated dynamically by computer. A new model of grid oxidation for inhibiting impurity segregation is proposed. The fruit have rife significance for technology design of P channel MOS device.

关 键 词：微电子 PMOS结构 计算机模拟 栅氧化 杂质分凝 

分 类 号：TN432.05[电子电信—微电子学与固体电子学]