一种用于RF LDMOS功率放大器的匹配技术  

A Matching Approach to RF LDMOS Power Amplifiers

作　　者：王锋[1] 胡善文[2] 张晓东[3,4] 高怀[2] 

机构地区：[1]东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心,江苏苏州215123 [2]东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,南京210096 [3]苏州工业园区教育投资发展有限公司 [4]苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心,江苏苏州215123

出　　处：《固体电子学研究与进展》2011年第2期159-164,共6页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助项目(69801003)

摘　　要：介绍了射频高功率放大器设计中RF LDMOS器件的预匹配和匹配技术。针对一款高功率RF LDMOS-FET,在器件法兰封装内为其设计了预匹配电路,并在PCB板级对其进行了输入输出匹配电路的设计,使其在工作频带内较好地匹配到50Ω的系统参考阻抗上。仿真及测试结果表明,当频率为950 MHz时,该RF LDMOS功放的P-1 dB达到了48.8 dBm,直流到射频信号的转换效率达到了66.4%,功率增益在17.8 dB左右,IM3基本处在-30dBc以下,同时在整个869～960 MHz工作频带内,其S11小于-10 dB。This paper presents the pre-matching and matching approach to RF LDMOS device for designing of high-power RF amplifier.A pre-matching circuit in flange and an input/output matching circuit on PCB have been developed for one RF LDMOSFET,so that it can be matched to the systemic reference impedance of 50 Ω within a given frequency range.The simulation and measured results show that this RF LDMOS amplifier exhibits a P-1 dB of 48.8 dBm at 950 MHz.Its DC to RF efficiency is up to 66.4%.Power gain is around 17.8 dB.And IM3 is below -30 dBc,while the S11 is less than-10 dB across the frequency range of 869～960 MHz.

关 键 词：射频横向双扩散金属氧化物场效应晶体管 等效电路模型 预匹配 输入输出匹配 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学] TN722.75