射频辉光放电过程中工艺参数对极板自负偏压的影响  

Effect of R F Discharhe Parameters on the Substrate Bias

作　　者：程宇航[1] 吴一平[1] 许德胜[1] 陈建国[1] 乔学亮[1] 谢长生[1] 

机构地区：[1]华中理工大学材料学院,430074

出　　处：《电工技术学报》1999年第5期59-62,共4页Transactions of China Electrotechnical Society

基　　金：华中理工大学模具技术国家重点实验室和激光技术国家重点实验室联合资助

摘　　要：系统研究了射频等离子辉光放电过程中工艺参数对极板自负偏压的影响， 结果表明射频辉光放电过程中下极板上产生的自直流负偏压Ｖ 与电源功率Ｗ 和工作压强Ｐ 的关系为Ｖ＝ｋ Ｗ／ Ｐ。极板负偏压随极板间距的增加而增大。不同放电气体对极板自负偏压产生不同的影响。The effect of radio frequency (r f )discharge parameters on the substrate bias was systematically studied Results show that the substrate bias V is related to the r f power W and gas pressure P by V=kW/P The increase of distance between two electrode leads to the increase of substrate bias Substrate bias is greatly affected by the discharge characteristics of different gases

关 键 词：辉光放电 极板自负偏压 工艺参数 半导体薄膜 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]