a-C:H(N)薄膜的制备及性能  

Deposition and Properties of a C:H(N) Films

作　　者：程宇航[1] 吴一平[1] 陈建国[1] 乔学亮[1] 谢长生[1] 许德胜[2] 

机构地区：[1]华中理工大学材料科学与工程系,武汉430074 [2]华中理工大学激光技术国家重点实验室,武汉430074

出　　处：《无机材料学报》1999年第4期601-606,共6页Journal of Inorganic Materials

基　　金：华中理工大学模具技术国家重点实验室和激光技术国家重点实验室基金

摘　　要：采用射频直流等离子化学气相沉积法用 Ｃ２ Ｈ２ 、 Ｎ２ 和 Ａｒ 组成的混合气体制备ａ Ｃ： Ｈ （ Ｎ） 薄膜， 研究了薄膜的制备工艺、结构及直流导电特性实验结果表明， ａ Ｃ： Ｈ （ Ｎ） 薄膜的沉积速率随混合气体中 Ｃ２ Ｈ２ 含量的增加而增大， 当混合气体中 Ｎ２ 含量增加到７５ ％ 时， 薄膜的含氮量增大到９０９ ％ 薄膜中 Ｃ、 Ｎ 原子以 Ｃ≡ Ｎ 和 Ｃ Ｎ 键的形式存在，a C:H(N) films were deposited from mixture gases of C 2H 2, Ar and N 2 by r f d c PECVD method The deposition process, structure and direct current resistivity of the a C:H(N) films were studied The deposition rate of the a C:H(N) films increases with the increase of C 2H 2 content in the feed gases The study of XPS and FTIR spectroscopy indicates that up to 9 09at% N can be incorporated with C atoms in a C:H(N) films as C≡N and C N The bonded N in a C:H(N) films leads to the decrease of direct current resistivity

关 键 词：C:H(N)薄膜 化学气相沉积 制备 工艺 电阻率 

分 类 号：TB43[一般工业技术] O484.42[理学—固体物理]