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机构地区:[1]吉林体育学院现代教育技术中心,吉林长春130022 [2]中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083 [3]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083
出 处:《光电子.激光》2011年第6期813-815,共3页Journal of Optoelectronics·Laser
基 金:国家“863”计划资助项目(2007AA03Z420);国家自然科学基金资助项目(60977045)
摘 要:采用电子束光刻和ICP刻蚀等工艺制作出绝缘体上Si(SoI)基纳米线波导微环谐振(MRR)滤波器,波导截面尺寸为300 nm×320 nm,微环半径为5μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为16.8 nm,1.55μm波长附近的消光比(ER)为18.1 dB。通过对MRR滤波器进行热光调制,在21.4-60.0℃温度范围内实现了4.8 nm波长范围的可调谐滤波特性,热光调谐效率达到0.12 nm/℃。Microring-resonator filters are fabricated by E-beam photolithography and inductive-coupled-plasma(ICP) etching technology.The cross-section size of the strip waveguides is 300 nm×320 nm,and the bending radius of the microring is 5 μm.The measured results show that the free spectral range(FSR) and extinction ratio(ER) at the wavelength of 1 550 nm are 16.8 nm and 18.1 dB,respectively.After thermo-optic modulation,the tunable filter wavelength range reaches 4.8 nm,and the tuning efficiency is 0.12 nm /℃.
关 键 词:绝缘体上Si(SoI) 纳米线波导 微环谐振(MRR) 滤波器 热光效应
分 类 号:TN256[电子电信—物理电子学]
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