掺杂Sm_2O_3对Ba(Ti,Sn)O_3的介电性能的影响  

Influence of Sm_2O_3-doping on dielectric properties of Ba(Ti,Sn)O_3 ceramics

作　　者：李远亮[1,2] 段文创 曲远方[2] 张庆军[1] 王冉然[4] 

机构地区：[1]河北联合大学分析测试中心,河北唐山063009 [2]天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津300072 [3]辽宁华腾华毅管业有限公司,辽宁鞍山114226 [4]天津海运职业学院轮机工程系,天津300457

出　　处：《电子元件与材料》2011年第6期20-22,25,共4页Electronic Components And Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.50974052);河北省教育厅科学计划研究基金资助项目(No.2008119)

摘　　要：以碳酸钡、二氧化锡和二氧化钛等为原料,制备了掺杂Sm2O3的Ba(Ti0.9Sn0.1)O3(BTS)陶瓷,研究了所制陶瓷的介电性能。结果表明:当摩尔分数x(Sm2O3)<0.60%时,Sm3+主要进入BTS陶瓷晶格A位,随着x(Sm2O3)的增加,Sm3+倾向于进入晶格B位。Sm2O3的掺杂量对BTS陶瓷的相对介电常数和介质损耗影响显著,x(Sm2O3)=0.60%时,BTS陶瓷的相对介电常数达到最大值5 560;当x(Sm2O3)=0.10%时,BTS陶瓷的综合性能最佳:介质损耗降至最低值0.005 0。Ba（Ti0.9Sn0.1）O3（BTS） ceramics were prepared using BaCO3,SnO2 and TiO2 etc as raw materials,Sm2O3 as dopant.The dielectric properties of prepared ceramics were investigated.The results show that Sm3＋ enter into the A-site of the BTS ceramics when the mole fraction of Sm2O3 [x（Sm2O3）] is less than 0.60%,and then Sm3＋ tend to occupy the B-site in perovskite lattice when the x（Sm2O3） is more than 0.60%.The relative permittivity of BTS ceramics is enhanced,it can reach maximum value of 5 560 at x（Sm2O3）=0.60%.BTS ceramics possess optimum comprehensive properties： the dielectric loss of BTS ceramics decrease to minimum value of 0.005 0 when x（Sm2O3）=0.10%.

关 键 词：Ba(Ti Sn)O3陶瓷 介电性能 掺杂 微观形貌 

分 类 号：TM223[一般工业技术—材料科学与工程]