新型功率器件(IGCT)的工作原理及其设计技术  

Principle and Technology of New Power Electronic Device IGCT (Integrated Gated Commutated Thyristor)

作　　者：杨大江[1] 姚振华[1] 朱长纯[1] 白继彬[2] 张昌利[2] 

机构地区：[1]西安交通大学,西安710049 [2]西安电力电子技术研究所,西安710061

出　　处：《电力电子技术》1999年第5期55-57,共3页Power Electronics

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：阐述了新型功率半导体器件———集成门极换向型晶闸管ＩＧＣＴ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｃｏｍ ｍｕｔａｔｅｄ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ） 的基本工作原理和关键设计技术。ＩＧＣＴ在ＧＴＯ 技术的基础上，采用硬驱动技术，集成其门极驱动电路和反并联二极管，省去了吸收电路，兼具ＧＴＯ 导通损耗低和ＩＧＢＴ 关断均匀的特点。由于其开关频率高，易于串联，故适合在中电压大功率领域使用。The paper introduces the operation principle and key technology of the Integrated Gate Commutated Thyristor(IGCT).Great improvement was achived based on GTO technology by integrating with gate drive circuit and anti parallel diode and by omitting the snubber.The IGCT combines the advantages of low on state loss of GTO and uniform turn off behavior of IGBT.Because of its high switching frequency and easy series connection,it is suitable for medium voltage high power applications.

关 键 词：功率器件 晶闸管 电力电子器件 设计 

分 类 号：TN340.2[电子电信—物理电子学]