张昌利

作品数：15被引量：41H指数：3
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供职机构：西安电力电子技术研究所更多>>
发文主题：晶闸管GTO可关断晶闸管电力电子技术IGCT更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《西安交通大学学报》《电力电子技术》《中国电机工程学报》更多>>
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集成门极换向型晶闸管透明阳极的数值模拟
《西安交通大学学报》2001年第8期808-810,815,共4页姚振华 朱长纯 刘伟 吴春瑜 杨大江 白继彬 张昌利 
国家自然科学基金资助项目 (6 9876 0 13;6 0 0 36 0 16 ) ;教育部博士学科点专项科研基金资助项目 (980 6 982 8)
分析了集成门极换向型晶闸管 (IGCT)的透明阳极相对于传统阳极的特点 ,并进行了数值模拟 .利用有限差分法求解电子电流密度方程、空穴电流密度方程、载流子连续性方程和泊松方程的联立方程组 ,得到了透明阳极的发射效率随电子电流密度...
关键词：集成门极换向型晶闸管 透明阳极 功率半导体 数值模拟 IGCT 
风景这边独好 参加IEEE电力电子会议有感
《世界产品与技术》2000年第6期39-40,共2页张昌利 
应IEEE第三十届电力电子技术专家会议(30th Annual IEEE Power Electronics Specialists Conference)的邀请,受国家自然科学基金委员会的资助,我于1999年6月26日至7月6日去美国南卡参加了IEEE电力电子技术专家（PESC’99）...
关键词：电力电子技术 半导体 晶闸管 
新型功率器件(IGCT)的工作原理及其设计技术被引量：25
《电力电子技术》1999年第5期55-57,共3页杨大江 姚振华 朱长纯 白继彬 张昌利 
国家自然科学基金
阐述了新型功率半导体器件———集成门极换向型晶闸管ＩＧＣＴ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｃｏｍ ｍｕｔａｔｅｄ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ） 的基本工作原理和关键设计技术。ＩＧＣＴ在ＧＴＯ 技术的基础上，采用硬驱动技术，集成其...
关键词：功率器件 晶闸管 电力电子器件 设计 
带有转向器的MOS双门极EST晶闸管
《电力电子技术》1999年第2期68-70,共3页张昌利 闵源基 金相哲 朴钟文 
对带有ｐ型转向器的ＭＯＳ双门极ＥＳＴ晶闸管（ＤＧＥＳＴＤ）进行了研究。该ｐ型转向器（ｄｉｖｅｒｔｅｒ）与双门极的结合使得空穴电流分流，从而明显改善了传统ＥＳＴ的正向偏置安全工作区（ＦＢＳＯＡ），提高了其开关能力。用Ｔ...
关键词：晶闸管 DGESTD 转向器 MOS 
GTO关断特性的SPICE模拟被引量：3
《Journal of Semiconductors》1998年第5期362-368,共7页兀革 陈治明 张昌利 徐南屏 
本文提出了用于模拟ＧＴＯ关断特性的ＳＰＩＣＥ等效电路模型．根据器件的工作特性并结合器件结构提取模型参数．用此模型对１０００Ａ／２５００Ｖ阳极短路型ＧＴＯ的关断特性进行了模拟，包括关断电流拖尾现象在内的整个关断过程，模...
关键词：晶闸管 GTO 模型 关断特性 SPICE 
新型阳极短路环的大功率 GTO被引量：1
《电力电子技术》1998年第1期75-78,共4页张昌利 李冲 贾洪渊 陈治明 
机械工业技术发展基金
采用新型阳极短路环的发射极结构，开发出１０００Ａ，２５００Ｖ和２０００Ａ，２５００Ｖ大功率阳极短路型ＧＴＯ。本文给出该元件的设计原则、制造工艺、通态损耗与关断损耗的最佳折衷结果。
关键词：关断晶闸管 阳极短路 发射极 GTO 晶闸管 
电力电子技术 国际会议(ICPE’95)所见被引量：1
《半导体技术》1997年第5期4-6,共3页张昌利 吴济钧 
电力电子技术国际会议（ＩＣＰＥ’９５）所见张昌利吴济钧西安电力电子技术研究所（西安７１００６１）应东道国韩国电气学会ＫＩＥＥ（ＫｏｒｅａＩｎ－ｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｎｉｎｇ）的邀请，我们...
关键词：电力电子技术 国际会议 ICPE 
高压IGBT制造技术的最新动向被引量：4
《半导体情报》1997年第5期46-50,共5页张昌利 陈治明 
阐述了当前２．５～４．５ｋＶ高压ＩＧＢＴ的最新制造技术和典型器件结构，认为高压大电流ＩＧＢＴ器件的开发成功将为未来电力电子技术的发展提供新的机遇和挑战。
关键词：电力电子技术 绝缘栅 双极型晶体管 IGBT 
改进工艺的1000A/2500V逆阻型GTO
《半导体技术》1997年第4期39-42,共4页张昌利 陈治明 
论述了１０００Ａ、２５００Ｖ大功率逆阻型可关断晶闸管（ＧＴＯ）的基本设计原则，给出了主要工艺特征和元件的开关特性。采用改进的扩散工艺、掺氯氧化（ＴＣＥ）、高能电子辐照技术和湿法凹槽门极挖槽技术，使逆阻型ＧＴＯ的参数折...
关键词：电力半导体器件 可关断晶闸管 大功率 逆阻型 
关断过程中 GTO 正向阻断结失效机理的研究被引量：4
《中国电机工程学报》1997年第4期259-263,277,共6页张立 刘利贤 陈志敏 郑同江 季凌云 张昌利 白杰 高占成 
国家自然科学基金
本文重点研究了可关断晶闸管（ＧＴＯ）正向阻断结的三种失效机理。在ＧＴＯ关断过程中，阳极瞬时峰值功耗、阳极尖峰电压和阳极再加峰值电压达到极限时都可造成正向阻断结的损坏，从而使ＧＴＯ关断失效。从器件内部载流子的输运规律出...
关键词：正向阻断结 失效机理 晶闸管 
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