阳极短路

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一种具有低寿命区的阳极短路4H-SiC IGBT仿真研究
《电子科技》2021年第1期60-64,共5页毛鸿凯 苏芳文 林茂 张飞 隋金池 
浙江省杰出青年基金(LR17F040001)。
传统沟槽型4H-SiC IGBT中关断损耗较大,导通压降和关断损耗难以折中。针对此问题,文中提出了发射极区域含有低寿命区,同时集电区引入阶梯型集电极的LS-IGBT结构来降低器件的关断损耗。通过同时控制集电区注入的空穴载流子数量和P基区载...
关键词：击穿电压 关断损耗 4H-SIC IGBT 通态压降 Silvaco Atlas 
基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOI LIGBT
《微电子学》2017年第5期714-717,共4页周骏 成建兵 袁晴雯 陈珊珊 吴宇芳 王勃 
国家自然科学基金资助项目(61274080)
在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LT...
关键词：阳极短路横向绝缘栅双极晶体管 击穿电压 反型层 负微分电阻效应 
一种带有p型阻挡层的新型阳极短路IGBT结构
《半导体技术》2016年第9期679-683,共5页于佳弘 李涵悦 谢刚 王柳敏 金锐 盛况 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401);国网科技资助项目(SGRI-WD-71-14-005)
提出了一种可应用于高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的新型阳极短路IGBT结构。在n型截止区设计一个p型阻挡层,增加了集电极区域的短路电阻,从而完全消除传统阳极短路型IGBT开启时正向导通压降的回跳效应。p型阻挡层的位置对消除导通...
关键词：回跳现象 阳极短路绝缘栅双极型晶体管(IGBT) p型阻挡层 正向导通压降 关断时间 
带有p型柱体的三维阳极短路LIGBT结构
《半导体技术》2016年第4期280-285,共6页王柳敏 金锐 徐晓轶 谢刚 盛况 
国家高科技发展研究计划(863计划)资助项目(2014AA052401);国网科技项目(SGRI-WD-71-14-005)
为了有效消除器件的逆阻现象,提出了一种带有p型柱体的三维阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管(SA-LIGBT)结构。p型柱体位于n型缓冲层中,提高了集电极区域的短路电阻,从而使逆阻现象完全消失。另一方面,p型柱体会向漂移区注入更多的空穴,...
关键词：三维 横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT) 阳极短路 p型柱体 逆阻效应 
用于单端电磁炉的新一代场截止阳极短路IGBT
《今日电子》2015年第12期34-36,共3页Jaeeul Yeon 
由于感应加热为烹饪容器提供直接均匀的热量，因此与传统炉灶所采用的其他烹饪方法（通电线圈、燃气）相比具有许多优势。其中包括加热速度快、热效率更高以及热控制精准等优点，另外，采用感应加热的炉灶也便于清洁。
关键词：IGBT 阳极短路 电磁炉 单端 感应加热 烹饪方法 加热速度 热控制 
飞兆半导体的阳极短路IGBT荣膺EPC十佳功率产品奖
《半导体信息》2013年第5期15-16,共2页赵佶 
飞兆半导体——高性能功率和移动半导体解决方案供应商,已荣膺《今日电子(EPC)》主办的第11届年度十佳DC-DC功率产品奖。这是自飞兆半导体将其高压场截止阳极短路沟道IGBT提交"最佳应用奖"评委会之后,第七次获得这项享有声望的奖项。该...
关键词：功率损耗 飞兆半导体 EPC IGBT 产品奖 今日电子 电压范围 饱和电压 市场定位 导通损耗 
阳极短路型IGBT
《今日电子》2013年第3期65-65,共1页
高功率和高频率感应加热（IH）家用电器需要更低的传导损耗和卓越的开关性能，以便在IH电饭煲、台式电磁炉和基于逆变器的微波炉等应用中实现更高的效率和系统可靠性。飞兆半导体的高电压场截止阳极短路（Shorted Anode）trench IGBT可...
关键词：IGBT 阳极短路 设计人员 系统可靠性 飞兆半导体 开关性能 传导损耗 家用电器 
显像管阳极短路导致＋B电压下降故障
《家电维修》2007年第11期7-7,共1页范福国 
分析检修：打开后盖．测C809两端电阻（测电阻前应先测一下电压。如有电压应对电容放电后再测，否则可能会烧坏表）基本正常。又测＋B对地电阻，也基本正常。
关键词：电压下降 阳极短路 显像管 故障 电容放电 电阻 
600A/2500V阳极短路型GTO器件的研制
《电力机车技术》2000年第1期13-16,共4页曾鸿平 
通过最佳的阴极单元结构和阳极短路图形设计，采用改进的Ｇａ扩散工艺、阳极短路结构、掺氯氧化技术及电子辐照技术，研制出了具有优良电特性的ＧＴＯ器件。文章论述了６００Ａ／２５００Ｖ阳极短路型可关断晶闸管（ＧＴＯ）的基本设计...
关键词：半导体器件 可关断晶闸管 阳极短路 600A/2500V 
阳极短路垂直型IGBT的优化模型
《微电子学》1999年第2期115-118,共4页刘海涛 陈启秀 
博士点专项基金
提出了一种阳极短路垂直型ＩＧＢＴ的优化设计模型，阐述了导通压降、关断时间及闭锁电流之间的折衷关系。该模型为阳极短路ＩＧＢＴ的设计提供了一种有效的方法。
关键词：功率器件 IGBT 阳极短路 优化模型 双极晶体管 
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